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大庆西门子S7-300代理商

简要描述:

大庆西门子S7-300代理商
浔之漫智控技术有限公司 上海诗慕自动化设备有限公司
本公司销售西门子自动化产品,全新原装,质量保证,价格优势
西门子PLC,西门子触摸屏,西门子数控系统,西门子软启动,西门子以太网
西门子电机,西门子变频器,西门子直流调速器,西门子电线电缆
我公司大量现货供应,价格优势,品质保证,德国原装进口

更新时间:2020-04-30

厂商性质: 总代理商

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GBT管的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离由于此氧化膜很薄,IGBT管的UGE 的耐压值为 20V,在IGBT管加超出耐压值的电压时,会导致损坏的危险 此外,在栅极发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过 这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT管发热乃至损坏在应用中,有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感 在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压,如果栅极回路不合适或者栅极回路完全不能工作时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT管就会损坏 为防止这类损坏情况发生,应在栅极一发射极之间接一只10千欧左右的电阻。此外,由于IGBT管为MOS结构,对于静电就要十分注意 因此,请注意下面几点:

  (1)在使用模块时,手持分装件时,请勿触摸驱动端子部分当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电放电后,再触摸;

  (2)在用导电材料连接IGBT管的驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块;

  (3)尽量在底板良好接地的情况下操作 如焊接时,电烙铁要可靠接地在安装或更换IGBT管时,应十分重视IGBT管与散热片的接触面状态和拧紧程度,为了减少接触热阻,在散热器与IGBT管间涂抹导热硅脂,一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT管发热,从而发生故障,因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT管的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT管工作。

  igbt静态参数测试系统

  可测试IGBT参数包括ICES、BVCES、IGESF、VGETH、VGEON、VCESAT、ICON、VF、

  GFS、rCE等全直流参数,所有小电流指标保证1%重复测试精度,大电流指标保证2%以内重复测试精度。

  主极电流可提供400A 500A 800A 1250A大电流测试选项

  BR3500测试系统是一项高速多用途半导体分立器件智能测试系统。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力。可真实准确测试达九大类二十七分类大、中、小功率的半导体分立器件。

  一、可测试种类

  1.二极管                           Diode

  2.稳压(齐纳)二极管               Zener

  3.晶体管                            Transistor(NPN型/PNP型)

  4.可控硅整流器(普通晶闸管)        SCR

  5.双向可控硅(双向晶闸管)           TRIAC

  6.MOS场效应管                  Power MOSFET(N-沟/P-沟)

  7.结型场效应管               J-FET (N-沟/P-沟,耗尽型/增强型)

  8. 三端稳压器              REGULATOR(正电压/负电压,固定/可变)

  9.绝缘栅双极大功率晶体管            IGBT(NPN型/PNP型)

  10.光电耦合器                   OPTO-COUPLER(NPN型/PNP型)

  11.光电逻辑器件                         OPTO-LOGIC

  12.光电开关管                          OPTO-SWITCH

  13.达林顿阵列

  14.固态过压保护器                      SSOVP

  15.硅触发开关                          STS

  16.继电器                              RELAY(A、B、C型)

  17.金属氧化物压变电阻                   MOV

  18.压变电阻                            VARISTO

  19.双向触发二极管                      DIAC

  二、技术参数及可实现目标

  主极电压:1000V                 通过内部设置可扩展到:2000V

  主极电流:50A                         加选件可扩展到:400A/500A/1000A/1250A

  控制极电压:20V                     加大电流台选件可扩展到:80V

  控制极电流:10A                    加大电流台选件可扩展到:40A

  电压分辨率:1mV

  电流分辨率:100pA                 加小电流台选件可扩展到:1pA

1、如何避免米勒效应?

  IGBT操作时所面临的问题之一是米勒效应的寄生电容。这种效果是明显的在0到15V类型的门极驱动器(单电源驱动器)。门集-电极之间的耦合,在于IGBT关断期间,高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通(门集电压尖峰),这是潜在的危险。

  当上半桥的IGBT打开操作,dVCE/dt电压变化发生跨越下半桥的IGBT。电流会流过米勒的寄生电容,门极电阻和内部门极驱动电阻。这将倒至门极电阻电压的产生。如果这个电压超过IGBT门极阈值的电压,可能会导致寄生IGBT道通。

  有两种传统解决方案。首先是添加门极和发射极之间的电容。第二个解决方法是使用负门极驱动。*个解决方案会造成效率损失。第二个解决方案所需的额外费用为负电源电压。

  解决方案是通过缩短门极-发射极的路径,通过使用一个额外的晶体管在于门极-发射极之间。达到一定的阈值后,晶体管将短路门极-发射极地区。这种技术被称为有源米勒钳位,提供在我们的ACPL-3xxJ产品。你可以参考Avago应用笔记AN5314

  2、故障保护功能有哪些?都是集成在隔离驱动器里吗?

  3种故障保护功能都集成到Avago的高集成栅极驱动器ACPL-33xJ里-UVLO(以避免VCC2电平不足够时开启IGBT),DESAT(以保护IGBT过电流或短路),和米勒钳位(以防止寄生米勒电容造成的IGBT误触发)

  3、在哪些应用场合需要考虑米勒效应的影响?

  IGBT操作时所面临的问题之一是米勒效应的寄生电容。这种效果是明显的在0到15V类型的门极驱动器(单电源驱动器)。门集-电极之间的耦合,在于IGBT关断期间,高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通(门集电压尖峰),这是潜在的危险。

  当上半桥的IGBT打开操作,dVCE/dt电压变化发生跨越下半桥的IGBT。电流会流过米勒的寄生电容,门极电阻和内部门极驱动电阻。这将倒至门极电阻电压的产生。如果这个电压超过IGBT门极阈值的电压,可能会导致寄生IGBT道通。

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